输入 12V 降压 5V/3.3V 方案测试报告
PW2162 /PW2163 /PW2205 /PW2330 /PW2335 /PW2312B /PW2312 /PW2458 / PW8600 / PW75XX 实测对比
测试项：转换效率 ·热性能·静态功耗·典型应用 测试条件： Vin=12V, Vout=5V/3.3V
聚焦多品类电源管理芯片，模拟工业与车载真实工况，开展全方位性能验证与对比分析
01
测试对象：覆盖多品类电源管理芯片
l
同步降压
DC-DC
：
PW2162 (3.3-16V/2A)
、
PW2163 (4.5-18V/3A)
、
PW2205 (4.5-30V/5A)
、
PW2312 (4-30V/1.2A)
、
PW2330 (4.5-30V/3A)
、
PW2335 (4.5-30V/3A)
、
PW2458 (3.8-36V/5A)
l
异步降压
DC-DC
：
PW2312B (5.5-60V/0.6A)
，适配宽电压输入场景需求
l
LDO
线性稳压器：
PW8600 (3-80V/100mA)
、
PW75XX
系列
(3-36V/100mA)
，满足低噪声、高稳压精度的供电场景
02
核心测试项目：多维度性能验证
① 核心规格一致性验证：对比芯片标称参数与实测值，确保电气指标匹配度与可靠性
② 应用电路拓扑评估：解析典型布板方案，测试抗干扰能力与实际场景适配性
③ 转换效率实测：覆盖空载、轻载、满载及动态负载工况，对比能效表现差异
④ 热性能分析：测试高温环境下的结温变化、散热特性及长期运行的热稳定性
⑤ 静态功耗测试：检测空载待机状态下的
IQ
电流消耗，验证芯片低功耗节能特性
03
测试环境条件：模拟真实工业
/
车载场景
输入条件：
Vin = 12V
（精准模拟工业设备总线供电与汽车电子系统的标准电压环境）
输出条件：
Vout = 5.0V / 3.3V
（匹配主流
MCU
、传感器、控制模块等核心器件的供电需求）
一、测试目的与内容概览
PW2458
同步降压转换器
l
极致低功耗：
25µA
睡眠电流，大幅延长电池续航，适配便携医疗与
IoT
设备。
l
灵活高效：
0.8V
低压输出，
0.1-1.1MHz
可编程频率，支持
FSS
调制降低
EMI。
PW2205
同步降压转换器
l
强劲输出：
5A
大电流能力，集成低阻
MOSFET
，传导损耗低，效率优异。
l
稳定可靠：瞬时
PWM
架构实现快速瞬态响应，
SOP8-EP
封装强化散热性能。
应用场景总结：
PW2458
以超低功耗为核心优势，成为便携式医疗设备、手持终端及物联网节点的理想选择；
PW2205
凭借
5A
大电流与优异动态性能，广泛应用于工业自动化、汽车电子及大功率
LED
驱动等场景。两款芯片分别从“低功耗续航”与“大功率稳定”维度，满足差异化电源设计需求。
三、应用电路
(DC-DC Part 1)
DC-DC
降压转换器核心优势
DC-DC
降压型开关电源通过高频开关斩波实现电能转换，核心优势在于转换效率远高于线性稳压器
(LDO)
，尤其适合高压差、大电流供电场景。
相比
LDO
的线性损耗，其功耗主要源于开关损耗与导通损耗，能量利用率大幅提升。同时集成化的
DC-DC
芯片内置功率
MOSFET
与补偿电路，可简化外围设计，兼顾小型化与稳定性。
PW2312B & PW2330/PW2335
：高压与
3A
方案
PW2312B
支持
60V
超高耐压，
SOT23-6L
小封装适配工业高压场景。
PW2330
为
3A
平衡型同步降压，覆盖
4.5-30V
宽输入，通用性强；
PW2335
专注
1-5V
常用输出优化，专为数字电路核心供电打造，兼顾能效与易用性。
PW2162 & PW2163
：同系列高效小封装方案
PW2162
效率高达
96%
，
2A
输出
+
极小封装适配便携设备。
PW2163
为同系列
3A
升级款，
4.5-18V
宽输入，瞬时
PWM
架构实现快速瞬态响应，
SOT23-6
封装内实现
3A
大电流，是中等功率
+
小体积的最佳平衡点。
四、应用电路
(DC-DC Part 2)
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.98V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
六、
PW2162
输出
3.3V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
七、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.5A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
八、
PW2162
输出
3.3V/1.5A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.5A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
九、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
十、
PW2162
输出
3.3V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
十一、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.98V
（锂电中值）
Vout
：
5.02V
Iout
：
1.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
十二、
PW2162
输出
5.0V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
1.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
十三、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.97V
（锂电中值）
Vout
：
5.03V
Iout
：
1.5A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
十四、
PW2162
输出
5.0V/1.5A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
1.5A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
十五、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2162
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.95V
（锂电中值）
Vout
：
5.03V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
十六、
PW2162
输出
5.0V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2162(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
十七、
PW2162 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.98V
（锂电中值）
Vout
：
3.31V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
十九、
PW2163
输出
3.3V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
二十、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.97V
（锂电中值）
Vout
：
3.31V
Iout
：
2.4A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.4A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
3.29V
Iout
：
3.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
3.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
5.05V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.95V
（锂电中值）
Vout
：
5.04V
Iout
：
2.4A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.4A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2163
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.89V
（锂电中值）
Vout
：
5.02V
Iout
：
3.0A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
22
μ
F
×
2
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2163(SOP23-6L)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
3.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
3.31V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.92V
（锂电中值）
Vout
：
3.31V
Iout
：
3.0A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
3.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.9V
（锂电中值）
Vout
：
3.32V
Iout
：
4.0A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
4.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.94V
（锂电中值）
Vout
：
5.12V
Iout
：
0.89A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.8V
（锂电中值）
Vout
：
5.12V
Iout
：
3.0A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
3.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
二十一、
PW2163
输出
3.3V/2.4A
测试
@ Vin = 12V
二十二、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
二十三、
PW2163
输出
3.3V/3.0A
测试
@ Vin = 12V
二十四、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
二十五、
PW2163
输出
5.0V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
二十六、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
二十七、
PW2163
输出
5.0V/2.4A
测试
@ Vin = 12V
二十八、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
二十九、
PW2163
输出
5.0V/3.0A
测试
@ Vin = 12V
三十、
PW2163 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
三十二、
PW2205
输出
3.3V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
三十三、
PW2205 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
三十四、
PW2205
输出
3.3V/3.0A
测试
@ Vin = 12V
三十五、
PW2205 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
三十六、
PW2205
输出
3.3V/4.0A
测试
@ Vin = 12V
三十七、
PW2815 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
三十八、
PW2205
输出
5V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
三十九、
PW2205 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
四十、
PW2205
输出
5V/3.0A
测试
@ Vin = 12V
四十一、
PW2205 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2205
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.75V
（锂电中值）
Vout
：
5.14V
Iout
：
4.0A
电感
L
：
6.8
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
四十二、
PW2205
输出
5V/4.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2205(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
4.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
四十三、
PW2205 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
12.0V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.0A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
四十五、
PW2330
输出
3.3V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
四十六、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.99V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
四十七、
PW2330
输出
3.3V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
四十八、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
12.0V
（锂电中值）
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.4A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
四十九、
PW2330
输出
3.3V/2.4A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.4A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
五十、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
12.0V
（锂电中值）
Vout
：
5.13V
Iout
：
1.0A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
五十一、
PW2330
输出
5.0V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
1.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
五十二、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
5.11V
Iout
：
2.0A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
五十三、
PW2330
输出
5.0V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
五十四、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2330
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.92V
（锂电中值）
Vout
：
5.12V
Iout
：
2.4A
电感
L
：
10
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
五十五、
PW2330
输出
5.0V/2.4A
测试
@ Vin = 24V
测试条件
芯片：
PW 2330(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
5.0V
Iout
：
2.4A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
五十六、
PW2330 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2335
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.96V
（锂电中值）
Vout
：
3.38V
Iout
：
0.29A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
五十八、
PW2335
输出
3.3V/1.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2335(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
1.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
五十九、
PW2335 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2335
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.95V
（锂电中值）
Vout
：
3.44V
Iout
：
0.62A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
六十、
PW2335
输出
3.3V/2.0A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2335(SOP8-EP)
Vin
：
12.0V
Vout
：
3.3V
Iout
：
2.0A
环境温度：
25
℃
运行时间：
2 min
六十一、
PW2335 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW2335
拓扑：同步
Buck
Vin
：
11.93V
（锂电中值）
Vout
：
3.51V
Iout
：
2.4A
电感
L
：
4.7
μ
H
Cin
：
100
μ
F
×
1
Cout
：
22
μ
F
×
2
fsw
：
1MHz
六十二、
PW2335
输出
3.3V/2.4A
测试
@ Vin = 12V
测试条件
芯片：
PW 2335(SOP8-
六十三、
PW2335 IC
温度热成像
@ Vin = 12V
