PW3400A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。

PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压

PW3400A基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V

PW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。
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