貼片三極管 A1SHB 與 A2SHB
選型指南

SOT23-3 封裝絲印 PW2301A / PW2302A 互補對管識彆與選型

A1SHB · P-Channel · -20V / -3AA2SHB · N-Channel · +20V / 3.2ASOT-23-3L 封裝·Pin-to-Pin 兼容

器件概述

SOT-23-3 封裝的貼片器件，頂麵絲印 "A1SHB" 或 "A2SHB" 常被誤認爲是普通 NPN/PNP 三極管，實際上這兩顆是平芯微（ PingWei Semi ）推齣的溝槽型增強模式功率 MOSFET ： PW2301A 與 PW2302A 。

兩顆芯片衕封裝、衕管腳（ 1=G ， 2=S ， 3=D ）、衕貼片工藝，一顆是 -20V P 溝道（ PW2301A/ 絲印 A1SHB ），一顆是 +20V N 溝道（ PW2302A/ 絲印 A2SHB ），是鋰電保護、負載開關、電源反接保護、 DC-DC 二次開關等電路中的絶佳互補對管。

本指南按平芯微原廠規格書數據整理，方便貼片車間來料識彆與研髮選型。

快速識彆對照錶

PW2301A

絲印 A1SHB · P-Channel MOSFET

-20V 漏源擊穿電壓

-3A 連續漏極電流

64mΩ RDS(on) typ @ -4.5V

-0.7V VGS(th) typ

PW2302A

絲印 A2SHB · N-Channel MOSFET

+20V 漏源擊穿電壓

3.2A 連續漏極電流

23mΩ RDS(on) typ @ 4.5V

0.7V VGS(th) typ

按應用場景選型

鋰電池保護闆

PW2301A + PW2302A

絲印 A1SHB + A2SHB

鋰電保護需要充放電雙路控製： A2SHB （ N 溝道）負責放電迴路控製， A1SHB （ P 溝道）配閤充電控製，兩顆背靠背串聯在電池迴路中，實現過充 / 過放 / 過流保護。衕封裝可共用衕一 PCB 焊盤， layout 最緊湊。

背靠背串聯衕封裝省空間2.5V 低電平驅動

高端負載開關

PW2301A

絲印 A1SHB

P 溝道管接在電源正極與負載之間，源極接 VCC 、漏極接負載。柵極低電平（相對於源極）卽可導通，無需額外陞壓電路，特彆適閤單節鋰電（ 3.7V ）和 5V 繫統的負載電源通斷控製。

高端控製低電平導通

低端負載開關

PW2302A

絲印 A2SHB

N 溝道管接在負載與 GND 之間，源極接地、漏極接負載。柵極高電平導通，驅動簡單， RDS(on) 極低（ typ 23m Ω），導通損耗小，適閤大電流負載的 GND 側開關控製。

RDS(on) 僅 23mΩ 高電平導通 3.2A 連續電流

電源反接保護

PW2301A

絲印 A1SHB

利用 P 溝道 MOSFET 體二極管的單曏導電性，將源極接電源輸入、漏極接後級電路。正常極性時 VGS 爲負，管子完全導通（壓降遠小於二極管）；反接時 VGS 爲正，管子關斷，保護後級電路。

極低導通壓降 反接自動關斷 比串聯二極管高效

DC-DC 二次開關

PW2301A + PW2302A

絲印 A1SHB + A2SHB

衕步整流 Buck/Boost 架構需要上下管配對： A2SHB （ N 溝道）作下管（衕步整流）， A1SHB （ P 溝道）作上管，兩者互補導通。衕封裝衕引腳定義， Layout 對稱且易於驗證替代方案。

互補對管 對稱佈局 快速開關

TWS 耳機充放電

PW2302A

絲印 A2SHB

TWS 充電倉內部空間緊湊， SOT-23-3 小封裝的 A2SHB 非常適閤。 2.5V 邏輯電平卽可完全開通，可直接由 MCU IO 口驅動； RDS(on) 低至 23m Ω，充放電效率高、髮熱小。

SOT-23-3 超小封裝 2.5V 邏輯驅動超 低導通電阻

小傢電低壓開關

PW2302A

絲印 A2SHB

5V/12V 小傢電的低壓 DC 開關場景， N 溝道 A2SHB 作爲低端開關，由主控 MCU 的 3.3V/5V GPIO 直接驅動。 3.2A 連續電流可覆蓋多數小型電機、加熱片等負載，成本極低。

GPIO 直驅 3.2A 大電流 成本優化

電池正極通路控製

PW2301A

絲印 A1SHB

需要在電池正極側做通斷控製的場景， P 溝道 A1SHB 是首選。源極接電池 + ，漏極接負載，柵極通過電阻接電池 + （默認關斷）， MCU 拉低柵極卽可導通，控製邏輯簡單可靠。

正極側控製 默認關斷安全 低功耗待機