國傢存儲器基地項目二期開工 規劃月産能20萬片

觀察者網註意到，受上述消息影響，今天A股早盤，光刻膠、半導體、國産芯片等闆塊紛紛走強。箇股方麵，瑞芯微、北方華創、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅上漲。

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一期主要實現技術突破

紫光集糰介紹，長江存儲國傢存儲器基地項目由紫光集糰、國傢集成電路基金、湖北省科投集糰和湖北省集成電路基金共衕投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。

其中，項目一期於2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片産品已實現穩定量産。

在開工儀式上，紫光集糰、長江存儲董事長趙偉國錶示，國傢存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成瞭一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現瞭技術水平從跟跑到併跑的跨越。

在64層3D NAND閃存量産7箇月後，長江存儲今年4月宣佈新的研髮進展，其跳過96層，成功研製齣業內已知型號産品中最高單位麵積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量産時間，長江存儲當時曏觀察者網錶示，配閤前述産能，128層NAND閃存將於今年年底到明年上半年陸續量産。

2019年9月，長江存儲核心廠區   圖片來源：長江存儲官網

西南證券6月21日分析指齣，長江存儲一期主要實現技術突破，併建成10萬片月産能，計劃將於2020年底滿産，考慮到國外廠商擴産情況，屆時長江存儲市全球佔率將達5%左右。

“2018年長江存儲突破32層3D閃存，與國外差距3-4年；2019年其實現64層技術量産，與國外差距縮小至2年；今年4月，長江存儲128層QLC 3D閃存研製成功，若128層年底實現量産，則與三星、海力士、 美光等國外廠商技術差距縮小至1年，一期的技術突破任務已基本完成。”該券商分析稱。

華創證券分析指齣，存儲器是信息繫統的基礎核心芯片，最能代錶集成電路産業規模經濟效益和先進製造工藝，也是中國進口金額最大的集成電路産品。近些年內存、固態硬盤、顯卡價格屢現上漲，根源在於存儲芯片掌握在少數國外廠傢手中。國産化將降低國內半導體産品成本，併提陞上遊設備公司訂單。

6月9日，基於二季度數據，SEMI（國際半導體産業協會）調整2021年全球晶圓廠設備開支規模的預測值，由此前預估的657億美元上調至創紀録的677億美元，預計衕比增長率爲24%。其中，存儲器工廠的設備開支規模最大，預計達到300億美元。

前述券商統計數據顯示，截至今年6月20日，國內設備廠商在長江存儲中標數量排名依次爲：北方華創（中標56颱）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導體（18）、華海清科（11）、精測電子（8）、瀋陽拓荊（5）、中科飛測（3）、睿勵（2），覆蓋刻蝕、沈積、檢測、清洗、CMP多箇領域。

三星、海力士紛紛擴産

事實上，目前全球閃存市場仍高度集中且被國外廠商壟斷。2020年一季度，三星、鎧俠（ 東芝）、 西部數據、美光、海力士、 英特爾等在全球閃存市場閤計佔有率超99%。

數據來源：TrendForce

3月底，集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的調查顯示，雖然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的終端産品齣貨動能格外疲弱，但在閃存（NAND Flash）領域，由於2020年全年供給收縮，加上各大供應商資本支齣保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。

展望第二季度，該機構指齣，北美及中國市場數據中心的買方態度仍相當積極，企業級固態硬盤（Enterprise  SSD）也成爲所有應用類彆中缺貨態勢最爲明顯的産品。由於Enterprise SSD佔整體NAND Flash齣貨比重持續提陞，因此價格的強勁錶現也帶動第二季整體NAND Flash均價將上漲至少5%。

數據來源：TrendForce

而隨著“宅經濟”推動對存儲需求的增加，加之價格上漲，龍頭廠商也紛紛開始擴産。

6月1日，路透社報道，三星電子宣佈，將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）的NAND閃存芯片生産能力，以押註未來對箇人計祘機和服務器的需求，因爲新冠病毒促使更多人在傢工作。

報道指齣，三星計劃在明年下半年大規模生産該芯片，新增的産能將有助於滿足對5G 手機和其他設備的需求。分析師預計，三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元（約閤65億美元）之間。

7箇月前，三星宣佈啟動西安閃存芯片（NAND）項目二期第二階段80億美元（約閤人民幣563億元）投資。項目建成後將新增産能每月13萬片，使西安成爲全球規模最大的閃存芯片製造基地。

與此衕時，據DIGITIMES今年4月報道，SK海力士將在韓國M15工廠增加NAND Flash産能。

報道指齣，之前因爲市場供過於求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上，這也導緻其産能爬坡速度有所減緩，不過在三星投資加速刺激下，SK海力士或也在考慮提高增産速度。

觀察者網專欄作者鐵流此前分析，由於中國企業在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方麵的市場佔有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數國際大廠所壟斷，特彆是韓國企業擁有非常高的市場份額，這直接導緻存儲芯片價格很容易受到壟斷企業決策影響……長江存儲在64層NAND上取得突破，未來將有效緩解瞭在NAND上單一依賴進口供應的局麵。