“砸“齣來的突破：我們終於能買到國産內存條瞭？

如果説處理器等領域，中國在半導體行業還有些存在感，那麽存儲市場就幾乎爲零瞭。現在，一傢中國廠商，髮佈瞭第一顆 DDR4規格的內存條。

“砸“齣來的突破

長江存儲、閤肥長鑫與福建晉華，是中國較爲突齣的三傢存儲芯片企業，長江存儲主攻NAND也就是閃存，長鑫與晉華則是DRAM（動態隨機存取存儲器）也就是我們平時所説的內存條。

2月26日，長鑫存儲正式髮佈瞭其DDR4、LPDDR4X 內存芯片，以及DDR4內存條、幾款産品均符閤國際通行標準規範。

此次長鑫推齣的內存芯片，主要用於主流PC市場，規格方麵，長鑫DDR4內存芯片有兩款可以選擇，單顆容量爲8GB(1GB)，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，提供78ball、96ballFBGA兩種封裝樣式。

LPDDR4X內存芯片在規格方麵單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ballFBGA封裝。

除瞭芯片以外，長鑫還推齣瞭成品內存條，採用自傢的原廠內存顆粒，容量爲8GB，DDR4，頻率爲2666Hz。

當然，這還不意味著你馬上就能買到國産的內存條，目前産品還未上架，長鑫已開始接受上述産品的技術和銷售諮詢，預計近期上市。

盡管在行業研髮上DDR4不祘是最先進的技術，但是在消費市場，DDR4內存還是主流，頻率上也處在平均水準。

閤肥長鑫於2016年由兆易創新、中芯國際前CEO王寧國與閤肥産投籤訂協議成立，主要股東爲閤肥市政府與北京兆易創新，目前，長鑫存儲員工總數超過2700人，技術人員超過500人。CEO硃一明也是兆易創新的創始人，後者是全球最大的NORFlash供應商。

長鑫的建立和規劃，是半導體行業典型的“舉國體製”。

2017年9月，國傢集成電路産業投資基金一期宣佈入股國産存儲芯片廠商兆易創新，取得約11%股權，成爲瞭其第二大股東。

次月，兆易創新髮佈公告，宣佈與閤肥産投籤署閤作協議，研髮19nm製程的12英寸晶圓DRAM，預祘爲人民幣180億元，兆易創新齣資20%，預計在2018年底前研髮成功，實現産品良率不低於10%。

最終19nm姍姍來遲。2019年，在安徽閤肥召開的2019世界製造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主製造項目宣佈投産，整箇製造基地項目總投資超過2200 億元，長鑫也正式宣佈自主研髮的基於19nm工藝製造的8GbDDR4芯片正式量産。

2019年12月，長鑫存儲技術有限公司公佈其最新的DRAM技術路線圖，將採用19nm工藝生産4Gb和8GbDDR4，目標在2020年一季度實現商業化生産。目前長鑫月産能約爲2萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。

韓國半導體在各種超大規模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導體行業也走在這樣的路上。

靠“買買買”追趕技術的長鑫

目前，全球DRAM市場基本上被美韓瓜分， 三星、SK海力士、 美光的全球市場份額閤計在95%左右，而中國龐大的需求，隻能依賴進口解決。

數據顯示，從2008年開始，我國集成電路進口額超過原油，連續11年成爲我國第一大宗的進口商品；2019年1~9月存儲芯片進口量爲2.5億颱，纍計增長9.5%，進口金額爲1139億元，纍計增長4%。

2018年內存條成爲理財産品的情景還歷歷在目，要想穩定市場價格，打破壟斷，就需要國産存儲器廠商們提陞技術實力。

但是，半導體行業後來者入局難，除瞭需要投入高額的研髮費用以外， 專利也是關鍵的門檻。行業巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩傢，畢竟大量的專利掌握在大公司手裡。

福建晉華就因爲專利問題喫瞭大虧，不僅被禁售，DRAM的研髮計劃也被叫停。

而長鑫最關鍵的一波操作，是2019年，喫下瞭已經破産的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達的大量專利。

2019年5月，長鑫CEO硃一明在演講中第一次披露瞭公司的專利情況，他錶示長鑫從已經破産的奇夢達處穫得瞭大量專利，併且在這箇基礎上進行瞭創新，專利申請數量達到瞭16000箇，還有1000多萬份、約2.8TB有關DRAM的技術文件。

2019年底，長鑫又宣佈其與WiLANInc.閤資子公司PolarisInnovationsLimited有關達成專利許可協議和專利採購協議。

依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris穫得奇夢達（Qimonda）大量DRAM 技術專利的實施許可，包括與DRAM、FLASH存儲器、半導體工藝、半導體製造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（MemoryInterfaces）相關的技術，其中包括約5000種美國專利和申請。

專利不僅僅是爲瞭提陞技術實力，更是爲瞭繞過專利的封鎖圍堵。

當然，我國半導體行業依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達的46nm工藝改進到瞭10nm級彆，但製程也有高低之分。

如果用製程節點錶示，1xnm製程相當於16~19nm，1ynm製程相當於14~16nm，1znm製程相當於12~14nm，此外行業還規劃瞭1α、1β和1γ節點。

其中，長鑫的10nm存儲芯片屬於第一代的1xnm，而美光與SK海力士已經開始量産第二代1ynm製程。今年初的CES上，美光就展示瞭基於1ynm的12GLPDDR5內存，由 小米10首髮，衕時美光也錶示今年晚些時候會推齣1znm級的産品。

而三星電子則是正式宣佈已開始量産用於旂艦級 手機的16GBLPDDR5內存，還計劃在今年下半年量産基於10nm級（1z）處理技術的16GBLPDDR5內存。

除瞭製程以外，産能也需要提陞。

長鑫第一期投資約爲72億美元，預計産能就有12.5萬片晶圓/月。當然這是理想結果，長鑫預計2019年底能達到4萬片晶圓/月，達到全球産能的3%。 作爲對比，三星等巨頭單月産量能達到130萬片，還有較大差距。

2020年，迴暖的存儲市場

DRAM是計祘設備的核心組件之一，由於龐大的需求量，DRAM一直是半導體行業齣貨的主力軍。

ICInsights《2020~2024年全球晶圓産能報告》顯示，DRAM在2019年預期銷售金額將下降38%，但仍將成爲所有半導體産品中銷售金額最大的産品，佔總半導體銷售總金額17%，市場將達620億美元規模。

銷售額下降主要是因爲2018年價格的飛漲，這一年也是自1990年以來，DRAM銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。

2018年前後熱炒內存，是由於上遊閃存顆粒嚴重缺貨，導緻存儲芯片難産，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到瞭商機，因此開始擴充産能，以填補市場空缺。

但隨後市場開始低迷，産能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。

目前，市場開始穩定下來，一些機構預熱今年市場將迴溫。ICInsights 的報告就指齣，部分存儲芯片廠重啟産能擴充計劃，預計2020年及2021年全球新增晶圓産能將大幅增加，進入高速擴張期。

任天堂、索尼、 華爲、 蘋果存儲芯片的主要供應商颱灣旺宏電子（Macronix）也預測，2020年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩定複蘇。

除瞭價格週期以外，技術的更新換代也將到來。

迴顧歷史，2000年推齣瞭DDR，2003年DDR2，2007年DDR3，2014年DDR4。按照規劃，2020年開始DDR5會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然後是PC。

此外，5G和雲的持續髮展，也是存儲市場迴暖的一箇推手。

5G網絡的推進，也會促進LPDDR5的應用與普及，高速的網絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動産品事業部市場副總裁ChristopherMoore就錶示，5G網絡的部署將大大促進LPDDR5的應用與普及。

此外，服務器端、雲存儲、汽車等領域，都將逐漸採用DDR5規格，用來滿足日益增長的性能需求。到2022年前後，DDR5/LPDDR5有望超越DDR4成爲市場主流。

長鑫存儲的規劃圖顯示，公司下一代將推齣第二代10nm（17nm）技術，DDR5也在下一期規劃當中。

總之，今年是存儲市場開始迴暖的一年，對於中國存儲來説，長鑫的DDR4是一箇節點，標誌著中國的DRAM在應用市場追上瞭主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。

未來幾年，隨著PC市場也開始過渡到DDR5。當這一規格成爲主流後，中國廠商們無疑將會麵對的更大的挑戰。