SK海力士推出176层4D NAND闪存芯片

2020-12-17 18:15:00
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(来自: SK hynix

从 96 层 NAND 闪存芯片开始,海力士一直在推动 4D 技术的发展。本文介绍的 176 层 NAND 芯片,已经发展到第三代。从制造上来说,其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。

海力士 NAND 开发负责人 Jung Dal Choi 表示:“闪存行业正在努力改善技术,以实现高集成度和高产量。同时作为 4D NAND 的先驱,海力士将引领业内最高的技术和产能”。

性能方面,第三代 4D NAND 技术可提升单元读取速度和数据传输速率,此外 176 层 NAND 闪存芯片采用了 2 分区单元阵列选择技术。

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其原理是将存储单元分成了两个部分,调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术(确保数据调用请求能够快速响应),第三代 4D NAND 还可将传输速率提升 33% 。

然后是能够实时自动校正的超精密对准技术,其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性,进而确保可靠的性能。

展望未来,海力士希望开发出基于 176 层 4D NAND 技术的 Tb 级产品。在此之前, 美光已经发布了 176 层 NAND,并且推出了基于英睿达品牌的产品。

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