供应PW3467,MOS管原装现货，技术支援

一般说明

PW3467 采用先进的沟道技术，提供优良的 RDS （ ON ），低栅极充电和低至 4.5V 的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征

•    VDS=30V ID=67A
•   RDS（开）<5.5mΩ@VGS=10V
•   提供8针DFN3*3封装
  代理商：深圳市夸克微科技 郑先生 ：13528458039 QQ 2867714804
  
  绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
  

  参数	符号	评级	单位
  漏源极电压	VDS	30	V
  栅源电压	VGS	±20	V
  持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TC=25℃	70	A
  持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TC=100℃	51	A
  持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TA=25℃	15	A
  持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TA=70 ℃	12	A
  脉冲漏电流（注 2 ）	IDM	160	A
  总功耗（注 3 ）	PD @TC=25℃	59	W
  总功耗（注 3 ）	PD @TA=25℃	2	W
  储存温度范围	TSTG	-55 至 150	℃
  工作结温范围	TJ	-55 至 155	℃
  单脉冲雪崩能量（注 4 ）	EAS	115.2	mJ
  雪崩电流	IAS	48	A
  热电阻接线盒（注 1 ）	RθJC	2.1	℃ /W
  热电阻结环境（注 1 ）	RθJA	62	℃ /W

  
  

  注意
  1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
  2、 测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
  3、 其功耗受175℃结温的限制
  4、 试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
  5、 数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制