SK海力士推齣176層4D NAND閃存芯片

（來自： SK hynix）

從 96 層 NAND 閃存芯片開始，海力士一直在推動 4D 技術的髮展。本文介紹的 176 層 NAND 芯片，已經髮展到第三代。從製造上來説，其能夠確保業內最佳的每片晶圓産齣。

海力士 NAND 開髮負責人 Jung Dal Choi 錶示：“閃存行業正在努力改善技術，以實現高集成度和高産量。衕時作爲 4D NAND 的先驅，海力士將引領業內最高的技術和産能”。

性能方麵，第三代 4D NAND 技術可提陞單元讀取速度和數據傳輸速率，此外 176 層 NAND 閃存芯片採用瞭 2 分區單元陣列選擇技術。

其原理是將存儲單元分成瞭兩箇部分，調用電阻更低、讀取速度更快。通過不增加處理數量的加速技術（確保數據調用請求能夠快速響應），第三代 4D NAND 還可將傳輸速率提陞 33% 。

然後是能夠實時自動校正的超精密對準技術，其特點是能夠保障堆棧之間的電流穩定性，進而確保可靠的性能。

展望未來，海力士希望開髮齣基於 176 層 4D NAND 技術的 Tb 級産品。在此之前， 美光已經髮佈瞭 176 層 NAND，併且推齣瞭基於英睿達品牌的産品。